一種導(dǎo)流盤
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201911324841.7 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111001301B | 公開(公告)日 | 2021-10-12 |
| 申請公布號 | CN111001301B | 申請公布日 | 2021-10-12 |
| 分類號 | B01D63/00;C02F1/44 | 分類 | 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置; |
| 發(fā)明人 | 王如順;嚴(yán)濱;周靜;袁志群;鐘汀梁;馬志鵬 | 申請(專利權(quán))人 | 優(yōu)尼索膜技術(shù)(廈門)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京高沃律師事務(wù)所 | 代理人 | 韓雪梅 |
| 地址 | 361101 福建省廈門市翔安區(qū)市頭路98號四層B室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開一種導(dǎo)流盤。該導(dǎo)流盤中,在圓形導(dǎo)流盤主體上的第一環(huán)形區(qū)域的正面和反面均沿周向均勻分布有多個樣條凸起,每個樣條凸起均從第一環(huán)形區(qū)域的內(nèi)邊界向外延伸至第一環(huán)形區(qū)域的外邊界;位于同一面的任意相鄰的兩個樣條凸起之間形成流體通道;流體通道任意兩個位置的法向截面的截面積相等;在圓形導(dǎo)流盤主體上的第二環(huán)形區(qū)域內(nèi)的正面和反面均分布有多圈凸點(diǎn);多圈凸點(diǎn)所在圓為同心圓;每圈凸點(diǎn)的所在位置均為所在圓周上流速最大的位置;第一環(huán)形區(qū)域的內(nèi)邊界的半徑大于或等于第二環(huán)形區(qū)域的外邊界的半徑。本發(fā)明能夠使導(dǎo)流盤內(nèi)部流場分布均勻且提高導(dǎo)流盤內(nèi)部湍流能量。 |





