一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201780089029.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110494987B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN110494987B 申請(qǐng)公布日 2022-03-01
分類號(hào) H01L29/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程凱;向鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李浩
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢517-A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中在襯底上外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體化合物外延結(jié)構(gòu)所存在的易龜裂、翹曲大的問(wèn)題。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底（1）；設(shè)置在所述襯底（1）上方的至少一個(gè)周期結(jié)構(gòu)（3）；其中，每個(gè)所述周期結(jié)構(gòu)（3）包括至少一個(gè)周期，每個(gè)所述周期包括沿外延方向依次疊加的第一周期層（31）和第二周期層（32）；其中，所述第n個(gè)周期結(jié)構(gòu)（3）的厚度小于所述第n+1個(gè)周期結(jié)構(gòu)（3）的厚度，n為大于等于1的整數(shù)。