晶片承載盤與晶片外延裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201980098309.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114072900A | 公開（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114072900A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-18 |
| 分類號(hào) | H01L21/683（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉凱;程凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 秦衛(wèi)中 |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢517-A室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種晶片承載盤與晶片外延裝置，涉及化學(xué)沉積裝置技術(shù)領(lǐng)域，該晶片承載盤包括盤體和設(shè)置于盤體上的凹槽；盤體上，在凹槽的氣體入口位置設(shè)有導(dǎo)流槽，導(dǎo)流槽位于凹槽與盤體側(cè)壁之間并與凹槽貫通。該晶片承載盤緩解了晶片邊緣處外延層沉積不均勻的技術(shù)問題，有效提高晶片邊緣外延沉積質(zhì)量。 |
