發(fā)光器件、發(fā)光器件的模板及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201980097776.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114072895A 公開（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114072895A 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) H01L21/20（2006.01）I;H01L33/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程凱;張麗旸 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 秦衛(wèi)中
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)20幢517-A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的模板及其制備方法，通過在襯底（1）上設(shè)置GaN基半導(dǎo)體層（2）和掩膜層（3），其中掩膜層（3）包括多個(gè)間隔設(shè)置的掩膜開孔，且使用GaN基半導(dǎo)體層（2）填充掩膜開孔；并且在多個(gè)間隔設(shè)置的掩膜開孔內(nèi)的GaN基半導(dǎo)體層（2）表面設(shè)置犧牲層（4），利用間隔設(shè)置掩膜開孔，可以直接在掩膜開孔上形成間隔的發(fā)光單元（5），避免側(cè)壁刻蝕，提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率，并且通過刻蝕犧牲層（4）來剝離發(fā)光器件，實(shí)現(xiàn)模板的重復(fù)利用，降低成本。