一種去除硅中雜質(zhì)磷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910102781.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102020278A 公開（公告）日 2011-04-20
申請公布號 CN102020278A 申請公布日 2011-04-20
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機化學;
發(fā)明人 吳展平 申請（專利權(quán)）人 陜西威斯特硅業(yè)有限公司
代理機構(gòu) 貴陽東圣專利商標事務有限公司 代理人 徐逸心
地址 550014 貴州省貴陽市白云區(qū)白云北路硅材料基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種去除硅中雜質(zhì)磷的方法，屬物理冶金提純硅的技術領域，采用真空感應爐，在惰性氣體氬氣保護下，用具有強還原性的含鈣合金或鈣化合物作為脫磷劑，用鈣的鹵化物作助熔劑，在硅熔融態(tài)下進行脫磷反應。其操作步驟是：將工業(yè)硅料、脫磷劑、助熔劑按比例配好，混勻盛入坩堝內(nèi)，將坩堝置于密閉的真空感應加熱爐；抽出爐內(nèi)空氣，使加熱爐保持微負壓，停止抽真空，向加熱爐內(nèi)填充氬氣，使爐內(nèi)外氣壓一致；感應加熱，當爐內(nèi)溫度達到1450℃-1600℃時，維持20-30min；脫磷結(jié)束后，緩慢自然冷卻至室溫；在稀鹽酸下浸泡處理硅塊2-4小時，去除雜質(zhì)。經(jīng)過脫磷處理后的硅塊，磷含量小于2ppm，再進行去硼、去金屬雜質(zhì)處理，可作為太陽能電池的硅原料。