一種由工業(yè)硅提純制備高純硅的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910102811.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102040219A 公開(kāi)（公告）日 2011-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN102040219A 申請(qǐng)公布日 2011-05-04
分類(lèi)號(hào) C01B33/037(2006.01)I 分類(lèi) 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 吳展平 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 陜西威斯特硅業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽(yáng)東圣專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)有限公司 代理人 貴陽(yáng)寶源陽(yáng)光硅業(yè)有限公司;陜西威斯特硅業(yè)有限公司
地址 550014 貴州省貴陽(yáng)市白云區(qū)白云北路硅材料基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種由工業(yè)硅提純制備高純硅的方法，該方法是結(jié)合工業(yè)硅生產(chǎn)，直接利用爐外精煉硅熔體，在爐外精煉設(shè)備里進(jìn)行氧化造渣除硼，去渣后的硅熔體上傾倒入除磷的設(shè)備，還原造渣除磷后，待硅熔體緩慢冷卻至室溫，將得到的硅錠去掉渣層、雜質(zhì)含量高的表層后，粉碎至粒度20-50目，再進(jìn)入高純鹽酸中浸泡、清洗，烘干。最后進(jìn)行定向凝固進(jìn)一步除金屬雜質(zhì)，得到B含量＜0.5ppm，P含量＜1ppm，總金屬夾雜物含量＜1ppm的高純硅。