一種碳化硅晶片單向四次雙向八級(jí)臺(tái)階切割工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011509224.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112775563A 公開(kāi)（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN112775563A 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類號(hào) B23K26/38;B23K26/402;B23K26/142;B23K26/146 分類 機(jī)床；不包含在其他類目中的金屬加工;
發(fā)明人 郭輝;蔣樹(shù)慶;胡彥飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安晟光硅研半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 湯東鳳
地址 610052 四川省成都市成華區(qū)東華一路鐵建廣場(chǎng)2-1501
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅晶片單向四次雙向八級(jí)臺(tái)階切割工藝，通過(guò)上面在碳化硅晶錠厚度方向的對(duì)稱位置第1次切割至最深位置；隨后在左邊和右邊同樣地進(jìn)行3次切割到與第1次相同深度，從而建立起一個(gè)相對(duì)平緩的多次水射流寬度的面，這個(gè)面作為避免水柱干擾的第二深度切割的起始面；在中心對(duì)稱線的左側(cè)采用相同的噴口進(jìn)行第2層首次切割到其最深深度；隨后在厚度對(duì)稱軸線的右側(cè)進(jìn)行2次切割，并達(dá)到與第2層首次切割的相同深度；進(jìn)行第3層首次切割，以達(dá)到碳化硅晶錠半徑以上深度。本發(fā)明通過(guò)臺(tái)階法切割實(shí)現(xiàn)單晶碳化硅晶錠的高深度切割，實(shí)現(xiàn)了高效率、高質(zhì)量、低成本、低損傷、高出品率制備SiC單晶襯底，具有推廣應(yīng)用的價(jià)值。