高電壓發(fā)光二極管
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201020657139.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN201956354U | 公開(公告)日 | 2011-08-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN201956354U | 申請(qǐng)公布日 | 2011-08-31 |
| 分類號(hào) | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 彭暉;閆春輝;郭文平;柯志杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江亞威朗科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314305 浙江省海鹽縣海鹽經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)大橋新區(qū)銀灘路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種高電壓發(fā)光二極管,包括:依次形成在生長(zhǎng)襯底上的外延層、透明電極和鈍化層,以及連接電極。外延層包括依次形成的N-類型限制層、活化層和P-類型限制層;連接電極包括N-打線焊盤、P-打線焊盤和條形電極。透明電極覆蓋P-類型限制層??涛g外延層直至生長(zhǎng)襯底,形成至少兩個(gè)發(fā)光二極管單元。每個(gè)發(fā)光二極管單元形成至少一個(gè)半導(dǎo)體外延層平臺(tái),外延層平臺(tái)的底面露出N-類型限制層。在半導(dǎo)體外延層平臺(tái)底面和透明電極上方的鈍化層的預(yù)定位置形成多個(gè)窗口;條形電極通過窗口形成在一個(gè)發(fā)光二極管單元的N-類型限制層上,并與預(yù)定的鄰近的發(fā)光二極管單元的P-類型限制層電連接。條形電極把N-打線焊盤、多個(gè)發(fā)光二極管單元和P-打線焊盤以串聯(lián)的方式形成電連接。 |





