一種防止垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器在濕法氧化時(shí)開(kāi)裂的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610044192.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100365889C 公開(kāi)（公告）日 2008-01-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN100365889C 申請(qǐng)公布日 2008-01-30
分類(lèi)號(hào) H01S5/183(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/473(2006.01) 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣偉;劉凱;張彥偉;孫夕慶 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 常州中微光電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濰坊鳶都專(zhuān)利事務(wù)所 代理人 常州中微光電子科技有限公司;中微光電子（濰坊）有限公司
地址 261061山東省濰坊市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)玉清街東首中微光電子有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種防止垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器在濕法氧化時(shí)開(kāi)裂的方法：依次是將需要氧化的砷化鎵晶片放置在氧化爐內(nèi)腔的石墨塊上，密封氧化爐，將水蒸氣由氮?dú)鈯A帶通入到氧化爐內(nèi)腔中，分三個(gè)升溫時(shí)段加熱氧化爐，使砷化鎵晶片氧化后，關(guān)閉水蒸氣通路，再經(jīng)過(guò)降溫時(shí)段、烘烤時(shí)段和自然冷卻時(shí)段，最后關(guān)閉氮?dú)馔罚瑥难趸癄t內(nèi)取出氧化的砷化鎵晶片。采用這種防止垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器在濕法氧化時(shí)開(kāi)裂的方法，操作過(guò)程的重復(fù)性高、穩(wěn)定性好，在濕法氧化工藝過(guò)程中，開(kāi)裂現(xiàn)象很少出現(xiàn)，質(zhì)量穩(wěn)定，成品率提高到95％以上。