一種旁熱式硅基薄膜催化氫氣傳感器及其加工方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010936802.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN112034005A | 公開(公告)日 | 2020-12-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112034005A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-04 |
| 分類號(hào) | G01N25/32;G01N27/16;B82Y15/00;B82Y40/00 | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 沈方平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州芯鎂信電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京常青藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蘇州芯鎂信電子科技有限公司 |
| 地址 | 215128 江蘇省蘇州市吳中區(qū)東吳北路8號(hào)國(guó)裕大廈一期1504-3室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種旁熱式硅基薄膜催化氫氣傳感器,本氫氣傳感器通過(guò)MEMS加工工藝獲得,包括硅基底,所述硅基底上表面設(shè)有絕熱層,所述硅基底下表面開有一個(gè)或一對(duì)延伸至所述絕熱層的絕熱槽,所述絕熱層表面設(shè)有一對(duì)高電阻溫度系數(shù)材料組成的加熱線圈,所述加熱線圈內(nèi)側(cè)、外側(cè)或上方設(shè)有催化薄膜層,所述催化薄膜層其一表面覆蓋有一層耐高溫介質(zhì)層,其二表面留空,所述絕熱層外圈設(shè)有貴金屬薄膜電阻。本發(fā)明提供的氫氣傳感器可以同時(shí)在催化燃燒和熱導(dǎo)兩種模式下工作,體積小,功耗低,響應(yīng)快,使用壽命長(zhǎng)。 |





