一種集成電路芯片內(nèi)部參考電壓的校準方法、裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410079616.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103901336B 公開（公告）日 2017-01-25
申請公布號 CN103901336B 申請公布日 2017-01-25
分類號 G01R31/28 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉鵬飛;鄭育盛 申請（專利權(quán)）人 江蘇欣銳新能源技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利代理有限公司 代理人 郝傳鑫;熊永強
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道塘嶺路1號金騏智谷大廈5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種集成電路芯片內(nèi)部參考電壓的校準方法和裝置，校準方法包括：將與所述集成電路芯片連接的恒定供電電壓作為所述集成電路芯片模數(shù)轉(zhuǎn)換初始化的基準電壓；根據(jù)所述基準電壓，對所述集成電路芯片內(nèi)部的參考電壓進行校準；其中，所述對所述集成電路芯片內(nèi)部的參考電壓進行校準包括：采集所述集成電路芯片內(nèi)部的參考電壓值，將參考電壓校準值設(shè)置為所述參考電壓值。相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還公開了使用上述校準方法校準的內(nèi)部參考電壓來對集成電路芯片采集的數(shù)據(jù)進行校準的方法和裝置。實施本發(fā)明實施例，可簡單方便地對集成電路芯片的參考電壓進行校準，進而對集成電路芯片采集的數(shù)據(jù)進行校準，保證了數(shù)據(jù)的準確性。