一種端面耦合器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810991569.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108983352B 公開（公告）日 2020-08-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN108983352B 申請(qǐng)公布日 2020-08-07
分類號(hào) G02B6/10;G02B6/122;G02B6/136 分類 -
發(fā)明人 柏艷飛;仇超;甘甫烷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通賽勒光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 南通賽勒光電科技有限公司
地址 226000 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園1088號(hào)江成研發(fā)園內(nèi)4號(hào)樓北樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種端面耦合器及其制備方法，其中包括：硅襯底；埋氧層形成于硅襯底的上表面；于埋氧層中形成：頂層硅具有一第一頂層硅與一第二頂層硅；氮化硅波導(dǎo)形成于頂層硅的上方，氮化硅波導(dǎo)包括一第一氮化硅波導(dǎo)與一第二氮化硅波導(dǎo)；第一氮化硅波導(dǎo)與第二氮化硅波導(dǎo)的中心線位于頂層硅的中心線上。有益效果：通過在頂層硅的上方不同高度處生長(zhǎng)多層氮化硅波導(dǎo)，實(shí)現(xiàn)了較大模斑尺寸的光場(chǎng)，并結(jié)合縱向楔形結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，縮短了縱向結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度，最終實(shí)現(xiàn)了較高耦合效率的波導(dǎo)端面耦合器，并且這種端面耦合器制作工藝簡(jiǎn)單，與CMOS工藝兼容，可用于大規(guī)模生產(chǎn)，成本較低，具有較高的產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。