一種耦合對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910844015.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111474642A | 公開（公告）日 | 2020-07-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111474642A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-31 |
| 分類號(hào) | G02B6/42(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 宋廣益;甘甫烷;陳昌華;仇超 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南通賽勒光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海申新律師事務(wù)所 | 代理人 | 南通賽勒光電科技有限公司 |
| 地址 | 226000江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園1088號(hào)江成研發(fā)園內(nèi)4號(hào)樓北樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于硅光芯片工藝制作領(lǐng)域，公開了一種耦合對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及方法，激光器芯片的底面上設(shè)置有激光器波導(dǎo)以及兩個(gè)限位柱，激光器波導(dǎo)的突出部分和限位柱的突出部分齊平；硅光芯片中包括硅光波導(dǎo),埋氧層和凹槽，凹槽內(nèi)分別設(shè)置兩個(gè)限位平面，限位平面的設(shè)置位置與限位柱一一對(duì)應(yīng)；激光器波導(dǎo)的模場(chǎng)中心與限位柱的突出部分的頂面為第一厚度；限位平面的頂面至埋氧層的下表面之間的第二厚度由第一厚度、硅光波導(dǎo)的參數(shù)值以及埋氧層的參數(shù)值確定；過限位柱和限位平面的配合將激光器芯片貼合在硅光芯片的凹槽內(nèi)，以使激光器波導(dǎo)與硅光波導(dǎo)在高度上對(duì)準(zhǔn)。上述技術(shù)方案的有益效果是：確保激光器芯片和硅光芯片之間的耦合成功率，并且降低經(jīng)濟(jì)成本。?? |
