一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811510747.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109326701B | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109326701B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/30;H01L33/00 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張洪波;吳化勝;劉亞柱 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 |
| 地址 | 230011 安徽省合肥市合肥新站區(qū)工業(yè)園內(nèi) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管芯片制備方法，該制備方法包括，提供一襯底；于所述襯底上形成第一半導(dǎo)體層；于所述第一半導(dǎo)體層上形成發(fā)光層；于所述發(fā)光層上形成第二半導(dǎo)體層；于所述第二半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層；于所述第一半導(dǎo)體層上形成第一電極，所述透明導(dǎo)電層上形成第二電極，其中所述第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)包括多個(gè)導(dǎo)電層，所述多個(gè)導(dǎo)電層中的最外一層為金屬鈦層，所述金屬鈦層的厚度為根據(jù)該制備方法制備出的發(fā)光二極管芯片，可改善芯片老化性能，有效的降低電壓。 |
