一種半導(dǎo)體元件的切割方法及制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811416176.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109599357B | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109599357B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/683;H01L21/268;H01L21/304;H01L33/00 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 呂振興;張德;齊勝利;劉亞柱;程常占;唐軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 |
| 地址 | 230011 安徽省合肥市合肥新站區(qū)工業(yè)園內(nèi) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件的切割方法及制造方法，包括：提供一襯底，所述襯底上包括多個(gè)半導(dǎo)體元件；進(jìn)行粘片步驟，粘片膜與所述襯底的底面上進(jìn)行粘合；覆蓋保護(hù)膜于所述半導(dǎo)體元件上；進(jìn)行隱形切割步驟，以在所述襯底內(nèi)部形成變質(zhì)層結(jié)構(gòu)；進(jìn)行劈裂步驟，以獲得相互分隔的所述半導(dǎo)體元件。本發(fā)明提出的切割方法能夠解決現(xiàn)有技術(shù)在切割過(guò)程中半導(dǎo)體元件脫落的問(wèn)題，有效地提高了生產(chǎn)良率及作業(yè)效率，同時(shí)本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單穩(wěn)定，可操作性強(qiáng)，能夠在工業(yè)上進(jìn)行推廣應(yīng)用。 |
