一種多晶硅及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201711313319.X | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN107777689A | 公開(公告)日 | 2018-03-09 |
| 申請公布號 | CN107777689A | 申請公布日 | 2018-03-09 |
| 分類號 | C01B33/035 | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 王建鑫;郭曉剛;吳一兵 | 申請(專利權(quán))人 | 江西賽維LDK光伏硅科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址 | 338000 江西省新余市高新經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)馬洪工業(yè)基地賽維工業(yè)園專利辦公室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種多晶硅的制備方法,包括以下步驟:提供多晶硅反應(yīng)爐,所述多晶硅反應(yīng)爐中設(shè)有與電極連接的熱載體,所述熱載體包括鎢絲和與所述鎢絲連接的金屬管,所述金屬管的材質(zhì)包括鉭、鉬和鈦中的至少一種;將所述熱載體通電加熱,當(dāng)所述熱載體溫度達(dá)到1000?1100℃時,向所述多晶硅反應(yīng)爐中通入原料氣體,所述原料氣體在所述熱載體表面沉積生成棒狀多晶硅。本發(fā)明提供的多晶硅的制備方法,不再需要高電壓擊穿及預(yù)加熱器擊穿硅芯的工藝方式,優(yōu)化了運(yùn)行前的反應(yīng)器準(zhǔn)備時間,提高了多晶硅的生產(chǎn)效率,降低了電氣控制系統(tǒng)的復(fù)雜性及故障率,制備方法簡單易操作。本發(fā)明還提供了上述制備方法制得的多晶硅。 |





