光電芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023334765.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213988906U 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN213988906U 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L31/10（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒顏;楊彥偉;張續(xù)朋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯思杰技術(shù)（深圳）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳智匯遠(yuǎn)見知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 艾青;牛悅涵
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號(hào)南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種光電芯片。光電芯片包括：第一區(qū)域、第二區(qū)域、以及第三區(qū)域；其中，第一區(qū)域包括襯底、設(shè)于襯底上的外延結(jié)構(gòu)、以及設(shè)于外延結(jié)構(gòu)上的掩蔽膜；第二區(qū)域包括襯底、設(shè)于襯底上的外延結(jié)構(gòu)、以及設(shè)于外延結(jié)構(gòu)上的第一擴(kuò)散摻雜層；第三區(qū)域包括襯底、設(shè)于襯底上的外延結(jié)構(gòu)、以及設(shè)于外延結(jié)構(gòu)上的第二擴(kuò)散摻雜層；第一擴(kuò)散摻雜層與第二擴(kuò)散摻雜層彼此間隔分開。本實(shí)用新型提供的光電芯片通過形成第一擴(kuò)散摻雜層和第二擴(kuò)散摻雜層，在第一擴(kuò)散摻雜層上對(duì)光電芯片的性能和參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，避免由于探針的針尖直徑過大或探針不能直接對(duì)第二擴(kuò)散區(qū)進(jìn)行探測(cè)，不便于檢測(cè)光電芯片的性能；提高光電芯片的良品率。