一種基于高功率半導體激光器的激光熔覆方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811479386.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109234732A 公開（公告）日 2019-01-18
申請公布號 CN109234732A 申請公布日 2019-01-18
分類號 C23C24/10 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 周洪濤;蒲荷梅 申請（專利權）人 攀枝花市三圣機械制造有限責任公司
代理機構 成都華風專利事務所（普通合伙） 代理人 徐豐;張巨箭
地址 617000 四川省攀枝花市仁和區(qū)南山循環(huán)經濟發(fā)展區(qū)橄欖坪園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于高功率半導體激光器的激光熔覆方法，包括以下步驟：對還原罐筒體進行預處理：通過半導體激光光束熔化激光熔覆用的合金粉末在處理后的還原罐筒體上形成激光熔覆層；對完成激光熔覆的還原罐筒體進行后續(xù)處理。通過對因長期在壓力、溫度等循環(huán)交變載荷下使得還原罐筒體壁減薄而報廢的還原罐進行激光熔覆，使得使用壽命與新還原罐相當，降低了成本；并在完成激光熔覆加工修復后，對修復后的還原罐筒體進行檢測進一步保證修復部分的可靠性，及時發(fā)現激光熔覆修復過程中出現的隱患。