提拉法生長鋱鎵石榴石(TGG)晶體的裝置及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810041543.2 申請日 -
公開（公告）號 CN101649486B 公開（公告）日 2013-03-20
申請公布號 CN101649486B 申請公布日 2013-03-20
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 柳祝平;袁新強;黃小衛(wèi) 申請（專利權(quán)）人 上海元亮光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 214037 江蘇省無錫市江海西路金山北科技園金山四支路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種生產(chǎn)提拉法生長鋱鎵石榴石(TGG)晶體的裝置及其方法，涉及晶體生長領(lǐng)域，主要包括一稱量裝置、一旋轉(zhuǎn)裝置、一加熱裝置和一開孔三坩堝。通過在制備裝置上經(jīng)過原料準備、第一次加料、補給料生長后生成。有益效果是補給料的熔化吸熱過程對晶體生長區(qū)溫場影響小，有效降低了熔液長時間處于高溫而引起的揮發(fā)對組分的影響。