一種選擇性鈍化接觸電池的制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110140892.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112968074A | 公開(公告)日 | 2021-06-15 |
| 申請公布號 | CN112968074A | 申請公布日 | 2021-06-15 |
| 分類號 | H01L31/18;H01L31/0224 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐冠群;張林;黃智;謝泰宏 | 申請(專利權(quán))人 | 通威太陽能(合肥)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 安徽知問律師事務所 | 代理人 | 王澤洋 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市高新區(qū)長寧大道888號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明屬于晶體硅太陽能電池領(lǐng)域,涉及一種選擇性鈍化接觸電池的制備方法。針對現(xiàn)有技術(shù)中選擇性鈍化電池中輕擴區(qū)的形成通常需利用擴散形成摻雜層,后續(xù)多晶硅同樣需要摻雜,兩次擴散等方式需要多次高溫,不可避免地需要掩膜去掩膜步驟,導致出現(xiàn)制備步驟繁瑣,良率低,成本高,量產(chǎn)可行性低等技術(shù)問題。本方案提供了一種選擇性鈍化接觸電池的制備方法,通過在制絨后的單晶硅片表面制備氧化層,沉積非晶硅層,接著晶化且摻雜所述非晶硅層,迅速推結(jié),制備輕擴區(qū),利用矩形激光在所述摻雜多晶硅層表面制備致密氧化層后去除未被致密氧化層保護的摻雜多晶硅層,步驟簡單,減少整個工藝流程的步驟,成本低廉,得到了一種性能優(yōu)異的選擇性鈍化電池。 |





