一種堆疊式深耗盡圖像傳感器像素單元結(jié)構(gòu)及制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910560969.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110289277B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110289277B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-14 |
| 分類號(hào) | H01L27/146（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧學(xué)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海微阱電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 陶金龍;張磊 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種堆疊式深耗盡圖像傳感器像素單元結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有P阱的第一硅片和設(shè)有箝位式光電二極管的第二硅片，第一硅片上設(shè)有第一后道介質(zhì)層，第一后道介質(zhì)層中設(shè)有第一金屬互連層，第二硅片上設(shè)有第二后道介質(zhì)層，第二硅片背面上像素單元的部分區(qū)域設(shè)有P注入襯底，第一硅片和第二硅片之間通過(guò)第一、第二后道介質(zhì)層的鍵合而堆疊在一起，導(dǎo)電硅穿孔的上端與第一金屬互連層電連接，下端穿過(guò)第一后道介質(zhì)層、第二后道介質(zhì)層及第二硅片進(jìn)行電學(xué)引出，能有效防止在P阱和P注入襯底之間加不同電位時(shí)可能形成漏電通道的問(wèn)題，提升了圖像傳感器的性能。本發(fā)明還公開(kāi)了一種堆疊式深耗盡圖像傳感器像素單元結(jié)構(gòu)的制作方法。 |
