背照式圖像傳感器及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111563810.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114156300A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156300A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李夢 申請（專利權(quán)）人 上海微阱電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 201210上海市浦東新區(qū)芳春路400號1幢3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種背照式圖像傳感器，包括半導體襯底，所述半導體襯底具有正表面和背表面；設(shè)于所述半導體襯底內(nèi)的淺隔離槽和感光單元；設(shè)于所述半導體襯底內(nèi)的深隔離槽；覆蓋所述半導體襯底的正表面的第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層包括金屬互連結(jié)構(gòu)；覆蓋所述半導體襯底的背表面的第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層包括金屬柵格和導通結(jié)構(gòu)，所述導通結(jié)構(gòu)的一端與金屬柵格導通，另一端與焊盤結(jié)構(gòu)導通；焊盤結(jié)構(gòu)，貫穿所述半導體襯底和所述第二介質(zhì)層，且與所述金屬互連結(jié)構(gòu)連通。該背照式圖像傳感器的工藝步驟相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)能夠減少光罩版的使用，同時能實現(xiàn)金屬柵格電勢調(diào)節(jié)，減少工藝步驟，節(jié)約成本及改善圖像傳感器性能。