存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011510218.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112635467A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112635467A 申請(qǐng)公布日 2021-04-09
分類號(hào) H01L27/108 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧學(xué)強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海微阱電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 陶金龍;吳世華
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)形成沿第一方向覆蓋部分所述有源區(qū)表面的有源介質(zhì)層，所述有源介質(zhì)層延伸至相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的部分表面；下電極層，位于所述有源介質(zhì)層兩側(cè)，且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸覆蓋所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面；在所述有源介質(zhì)層和所述下電極層上形成沿所述第一方向排成一列的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。位于所述有源介質(zhì)層上的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)形成晶體管，位于所述下電極層上的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)形成存儲(chǔ)電容，在不增加晶體管面積的前提下實(shí)現(xiàn)一個(gè)晶體管加兩個(gè)存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，提高器件的集成度，達(dá)到了提高器件性能和可靠性的目的，具有顯著的意義。