晶體硅表面倒金字塔的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811345978.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109545890A 公開（公告）日 2019-03-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109545890A 申請(qǐng)公布日 2019-03-29
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0236（2006.01）I; C30B33/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛艷龍; 李劍; 包衛(wèi)鋒; 顧生剛; 楊二存 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西合創(chuàng)光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州市夏成專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈毅
地址 330000 江西省南昌市新建區(qū)望城新區(qū)璜溪大道688號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微電子納米加工領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體硅表面倒金字塔的制備方法。該方法包括以下步驟：首先在晶體硅表面通過納米壓印技術(shù)制作周期性排列的光刻膠圖形，然后將該晶體硅片置于RIE刻蝕設(shè)備中。通過調(diào)節(jié)RIE設(shè)備的工藝參數(shù)，對(duì)晶體硅表面進(jìn)行刻蝕，形成所需要的倒金字塔絨面結(jié)構(gòu)。此方法制備快速，能夠大大增加光的吸收率，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。