一種納米級(jí)單晶三元正極材料前驅(qū)體、單晶三元正極材料及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110444189.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113249777A 公開(kāi)(公告)日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113249777A 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類(lèi)號(hào) C30B9/12(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I;H01M4/505(2010.01)I;H01M4/525(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 喬水伶;李崇;呂明;王慧萍;方向乾;曹壯;高峰;楊欣 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 陜西彩虹新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 代理人 李鵬威
地址 712021陜西省咸陽(yáng)市彩虹二路陜西彩虹新材料有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種納米級(jí)單晶三元正極材料前驅(qū)體、單晶三元正極材料及制備方法,包括:將鎳、鈷和錳金屬單質(zhì)納米粉末和助熔劑按比例混合分散均勻;將分散均勻后的物料在第一溫度曲線(xiàn)下進(jìn)行燒結(jié);將燒結(jié)后的物料自然冷卻至室溫,經(jīng)過(guò)破碎和過(guò)篩,得到納米級(jí)單晶三元正極材料前驅(qū)體。本發(fā)明制備過(guò)程中避免了產(chǎn)生副產(chǎn)物氣體,工藝簡(jiǎn)單且成本低。