一種增加VDMOS溝道密度的蛇形布圖結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201821420851.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN208570602U | 公開（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN208570602U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-03-01 |
| 分類號(hào) | H01L27/02;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙少峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫摩斯法特電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慧誠(chéng)智道知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 214135 江蘇省無(wú)錫市無(wú)錫新區(qū)清源路18號(hào)太湖國(guó)際科技園傳感大學(xué)科技園530大廈C708號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型實(shí)施例涉及一種增加VDMOS溝道密度的蛇形布圖結(jié)構(gòu),布圖結(jié)構(gòu)包括沿第一方向和第二方向重復(fù)排列的多個(gè)元胞：元胞包括：第一溝槽柵、第二溝槽柵、第三溝槽柵和兩個(gè)接觸孔；第一溝槽柵與第二溝槽柵沿第二方向相互平行設(shè)置，第三溝槽柵為S型，置于第一溝槽柵與第二溝槽柵之間；一個(gè)接觸孔置于第三溝槽柵與第二溝槽柵之間，另一個(gè)接觸孔置于第三溝槽柵與第一溝槽柵之間；其中，接觸孔至第一溝槽柵、第二溝槽柵和第三溝槽柵的間距均不小于第一最小間距；第三溝槽柵至第一溝槽柵、第二溝槽柵的間距均不小于第二最小間距；每個(gè)元胞的第二溝槽柵與在第一方向上相鄰一個(gè)元胞的第一溝槽柵為相互重合的同一溝槽柵；第一方向與第二方向相垂直。 |
