發(fā)光二極管制備方法和發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911118821.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110828623A 公開（公告）日 2020-02-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN110828623A 申請(qǐng)公布日 2020-02-21
分類號(hào) H01L33/00;H01L33/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蕪湖德豪潤(rùn)達(dá)光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蕪湖德豪潤(rùn)達(dá)光電科技有限公司
地址 241000 安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)緯二次路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管制備方法和發(fā)光二極管。在三甲基鎵層生長(zhǎng)時(shí)，NH3流量開大，H2流量開小，使得三甲基鎵生長(zhǎng)速度較快，生長(zhǎng)速度控制在N型半導(dǎo)體層生長(zhǎng)速度的1/3～1/5。在三乙基鎵層生長(zhǎng)時(shí)，NH3流量開小，H2流量開大，使得三乙基鎵生長(zhǎng)速度較慢，生長(zhǎng)速度約為三甲基鎵層生長(zhǎng)速度的1/10～1/20。通過(guò)控制三乙基鎵層生長(zhǎng)速度，可以使得表面原子充分重組。并且，采用三乙基鎵生長(zhǎng)和H2的量增加，使得C含量下降，進(jìn)而減少了V?pits，降低了缺陷密度。通過(guò)S20和S30，避免了V?pits成長(zhǎng)過(guò)快導(dǎo)致的缺陷，提高了外延生長(zhǎng)質(zhì)量及外延片表面形貌正常，并且減少了過(guò)多的V?pits導(dǎo)致的缺陷，不易于延伸至量子阱層，進(jìn)而提高了多量子阱層的生長(zhǎng)質(zhì)量，提高了空穴與電子的復(fù)合效率。