發(fā)光二極管和發(fā)光二極管制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911119307.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110854246B 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN110854246B 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晟 申請（專利權）人 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
代理機構 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 代理人 石慧
地址 241000安徽省蕪湖市經濟技術開發(fā)區(qū)緯二次路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管和發(fā)光二極管制備方法。每個子層結構包括第一量子阱結構以及多個第二量子阱結構。第一量子阱結構替換傳統的量子壘層結構。多個第二量子阱結構設置于第一量子阱結構，形成更深層次的量子阱結構。并且，每個第二量子阱結構的厚度小于第一量子阱結構的厚度，使得第二量子阱結構相比于第一量子阱結構形成窄的量子阱結構。此時，將傳統結構中的量子壘替換為所述第一量子阱結構。通過多個第二量子阱結構使得多量子阱層中形成多個子層深窄多量子阱結構，相比于傳統的量子阱變得更深，使得量子阱對電子和空穴的限制能力更好，減小發(fā)光波長的半寬，產生波色更純的、發(fā)光強度更強的指定波段。