超臨界流體制備高純度硅的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910639067.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112209381A 公開（公告）日 2021-01-12
申請公布號 CN112209381A 申請公布日 2021-01-12
分類號 C01B33/023(2006.01)I 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 彭靖;馬承愚;彭英利;周玉 申請（專利權(quán)）人 深圳市智合碳硅科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 518109廣東省深圳市龍華區(qū)龍華街道玉翠社區(qū)昌永路智和科技園5號203
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 采用超臨界水作為制備高純硅的介質(zhì)，在超臨界狀態(tài)(500?600℃和25?35MPa)下及氫氣參與下，對同程進入反應(yīng)系統(tǒng)的硅質(zhì)原料進行處理，使硅材料中的微量雜質(zhì)發(fā)生分離和還原反應(yīng)，在較短時間內(nèi)，雜質(zhì)被去除，同時還原成為高純度硅單質(zhì)。制備過程中，超臨界水與H2合理配合，在高溫高壓條件下和密閉的反應(yīng)裝置中形成均相的超臨界混合流體，以極快速度(1?3min)使硅原料發(fā)生溶解、還原、去雜、聚集和沉積分離過程，制備出高純度晶體硅。??