一種射頻半導體器件結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010947697.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114171501A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114171501A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L23/552（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃河;向陽輝 申請（專利權）人 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司
代理機構 北京思創(chuàng)大成知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 高爽
地址 201210上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)蔡倫路85弄95號1幢3樓C區(qū)309
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種射頻半導體器件結構及其制造方法，其中，射頻半導體器件結構包括：基板，所述基板的第一表面為半導體層；第一射頻元件，位于所述半導體層；介質層，位于所述半導體層上、覆蓋所述第一射頻元件；第一微波吸收層，設置于所述第一射頻元件的上方；和/或，第二微波吸收層，設置于所述第一射頻元件的下方；和/或，第三微波吸收層，設置于相鄰所述第一射頻元件之間。本發(fā)明的第一微波吸收層、第二微波吸收層和第三微波吸收層能夠吸收射頻器件產(chǎn)生的電磁波，進而減少射頻器件之間或射頻器件與半導體襯底之間的電磁耦合。