一種高性能SRAM數(shù)據(jù)讀出電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011615515.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112687311A 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN112687311A 申請公布日 2021-04-20
分類號 G11C11/419(2006.01)I;G11C11/412(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 李曉敏;唐小青;王強 申請（專利權(quán)）人 南京低功耗芯片技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 柏尚春
地址 210000江蘇省南京市浦口區(qū)星火路17號創(chuàng)智大廈B座7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高性能SRAM數(shù)據(jù)讀出電路，包含未知鎖存數(shù)據(jù)的存儲陣列，已知鎖存數(shù)據(jù)的存儲單元和不對稱靈敏放大器。當(dāng)存儲陣列中鎖存的數(shù)據(jù)與已知鎖存數(shù)據(jù)的存儲單元中鎖存數(shù)據(jù)不同時，兩根位線同時放電，其電壓差很小，利用不對稱靈敏放大器的失調(diào)電壓讀出數(shù)據(jù)；當(dāng)存儲陣列中鎖存的數(shù)據(jù)與已知鎖存數(shù)據(jù)的存儲單元中鎖存數(shù)據(jù)相同時，一根位線維持高電平不變，另外一根位線在兩個存儲單元的作用下加速放電，兩根位線的電壓差迅速達(dá)到并超過靈敏放大器的失調(diào)電壓，靈敏放大器可準(zhǔn)確讀出數(shù)據(jù)。第一種情況下字線打開即可進(jìn)行檢測，第二種情況下位線在兩個存儲單元的作用下加速放電，位線電壓差快速達(dá)到靈敏放大器可檢測出來的數(shù)值。本發(fā)明可改善SRAM讀出性能，減少讀延時。??