ITO薄膜的制備方法及采用該ITO薄膜的LED芯片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310430140.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104465933B 公開（公告）日 2018-03-06
申請公布號 CN104465933B 申請公布日 2018-03-06
分類號 H01L33/42;H01L33/00;C23C14/35 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱秀山;郝茂盛;齊勝利 申請（專利權）人 上海藍光科技有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 李儀萍
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種ITO薄膜的制備方法，至少包括以下步驟：S1：提供一襯底，將所述襯底放置于磁控濺射設備腔體內(nèi)，并通入氬氣，然后利用射頻電源使氬氣起輝并產(chǎn)生氬等離子體；S2：再施加直流電源，在所述襯底表面形成一ITO保護層；S3：關掉所述射頻電源；在所述磁控濺射設備腔體內(nèi)通入預設流量的輔助氣體，在所述ITO保護層上形成至少一層折射率小于所述ITO保護層折射率的ITO薄膜層；所述ITO保護層及其上所有的ITO薄膜層共同形成折射率漸變的ITO薄膜。使用該ITO薄膜的LED芯片中，光在各介質(zhì)膜層的逸出角較大，既使量子阱發(fā)出光能夠盡可能多的逸出到ITO膜層，又能使得ITO膜層中的光盡可能的逸出到封裝膠外，從而提升了發(fā)光二極管的外量子發(fā)光效率，提升器件的亮度。