微型發(fā)光二極管單元的轉(zhuǎn)移方法以及微型發(fā)光二極管顯示面板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111169188.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113594309B 公開（公告）日 2021-12-28
申請公布號 CN113594309B 申請公布日 2021-12-28
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L21/683（2006.01）I;H01L27/15（2006.01）I;H01L33/64（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅雪方;盛衍;陳文娟;羅子杰 申請（專利權(quán)）人 羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226000江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)星湖大道1692號21（22）幢14100室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微型發(fā)光二極管單元的轉(zhuǎn)移方法以及微型發(fā)光二極管顯示面板。通過在所述第二轉(zhuǎn)移襯底上形成多個(gè)間隔設(shè)置的第一凹槽，使得多個(gè)所述微型發(fā)光二極管單元分別嵌入到相應(yīng)的所述第一凹槽中，在所述目標(biāo)襯底上形成多個(gè)間隔設(shè)置的第二凹槽，將所述第二轉(zhuǎn)移襯底的第一凹槽中的多個(gè)所述微型發(fā)光二極管單元分別轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)襯底中相應(yīng)的所述第二凹槽中，有效提高了轉(zhuǎn)移精度。同時(shí)在第一、第二凹槽中分別設(shè)置有第一、第二應(yīng)力緩沖層，進(jìn)而可以確保在微型發(fā)光二極管單元轉(zhuǎn)移過程中，避免微型發(fā)光二極管單元損壞，提高轉(zhuǎn)移的芯片的良率。