單晶爐熱場(chǎng)導(dǎo)流筒

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201120426942.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN202323099U 公開（公告）日 2012-07-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN202323099U 申請(qǐng)公布日 2012-07-11
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 周甦;張慶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 雅安恒圣高純石墨科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 成都金英專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 袁英
地址 625008 四川省雅安市雨城區(qū)草壩鎮(zhèn)工業(yè)集中區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種單晶爐熱場(chǎng)導(dǎo)流筒，它包括外導(dǎo)流筒（1）和內(nèi)導(dǎo)流筒（2），所述外導(dǎo)流筒（1）和內(nèi)導(dǎo)流筒（2）均為上大下小的錐形筒狀結(jié)構(gòu)，內(nèi)導(dǎo)流筒（2）位于外導(dǎo)流筒（1）的內(nèi)部。由于使用了雙層結(jié)構(gòu)，氬氣在通過(guò)時(shí)紊流減少?gòu)搅髟黾?，能提高熱?chǎng)溫度梯度，更加便于拉晶操作；能使氬氣流經(jīng)單晶液面時(shí)間，增加氬氣降溫效果；能將加熱器散射的輻射反射回?zé)釄?chǎng)內(nèi)，提升熱能利用率。