量子點發(fā)光器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110747664.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113471378A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471378A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L51/50（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣暢;程陸玲 申請（專利權）人 合肥福納科技有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 唐菲
地址 230000安徽省合肥市新站區(qū)新蚌埠路與魏武路交叉口佳海工業(yè)城G91棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N量子點發(fā)光器件，屬于量子點發(fā)光技術領域。該量子點發(fā)光器件包括沿預設方向?qū)盈B的量子點發(fā)光層以及電子傳輸層，電子傳輸層包括在預設方向?qū)盈B的多個電子傳輸結(jié)構(gòu)層。任意相鄰兩個電子傳輸結(jié)構(gòu)層中，電子傳輸材料相同，遠離量子點發(fā)光層的電子傳輸結(jié)構(gòu)層中的電子傳輸材料的顆粒平均尺寸為A nm，靠近量子點發(fā)光層的電子傳輸結(jié)構(gòu)層中的電子傳輸材料的顆粒平均尺寸為Bnm，A＞B。能夠改善電子和空穴注入的不平衡的問題以及激子分離現(xiàn)象，從而能夠有效提高量子點發(fā)光器件的發(fā)光效率。