制備(I-III-VI族)AgInS
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110474352.0 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113403066A | 公開(公告)日 | 2021-09-17 |
| 申請公布號 | CN113403066A | 申請公布日 | 2021-09-17 |
| 分類號 | C09K11/62(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 分類 | 染料;涂料;拋光劑;天然樹脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應用; |
| 發(fā)明人 | 孫笑;程陸玲 | 申請(專利權)人 | 合肥福納科技有限公司 |
| 代理機構 | 北京清亦華知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 徐章偉 |
| 地址 | 230012安徽省合肥市新站區(qū)新蚌埠路3768號佳海工業(yè)城一期G91棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了制備(I?III?VI族)AgInS2量子點的方法。該方法包括:將Ag源、In源、表面配體與第一溶劑混合,得到陽離子前驅體溶液;將S源與第二溶劑混合,得到陰離子前驅體溶液;將所述陽離子前驅體溶液進行第一加熱處理后,向所述陽離子前驅體溶液中注入所述陰離子前驅體溶液,并進行第一合成反應,得到AgInS2量子點原液;對所述AgInS2量子點原液進行離心處理,并對所得清液進行清洗處理,得到所述AgInS2量子點。該方法可制備得到窄帶邊發(fā)射的AgInS2量子點,且方法可控性高,能夠滿足實際應用的要求。 |





