電池背部結(jié)構(gòu)及其制備方法、電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111617968.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114400261A 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN114400261A 申請公布日 2022-04-26
分類號 H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/02（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱家寬;戴虹;鐘文兵;孫海晨;劉陽;桑雪崗;章暉 申請（專利權(quán)）人 理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 201620上海市松江區(qū)思賢路3255號3幢402
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種電池背部結(jié)構(gòu)，包括基底、隧穿氧化層、摻雜多晶硅薄膜層、擴(kuò)散多晶硅薄膜層、氮化硅層和電極；所述隧穿氧化層設(shè)置于所述基底的表面；所述摻雜多晶硅薄膜層設(shè)置于所述隧穿氧化層的表面；所述擴(kuò)散多晶硅薄膜層設(shè)置于所述摻雜多晶硅薄膜層的表面，且所述擴(kuò)散多晶硅薄膜層的方阻小于所述摻雜多晶硅薄膜層的方阻；所述氮化硅層設(shè)置于所述擴(kuò)散多晶硅薄膜層的表面；所述電極貫穿所述氮化硅層和部分所述擴(kuò)散多晶硅薄膜層，且所述電極與所述摻雜多晶硅薄膜層分隔設(shè)置。本發(fā)明同時提供一種電池背部結(jié)構(gòu)的制備方法和一種電池。