應(yīng)用于管式鍍膜設(shè)備的處理方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011592604.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112813420A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112813420A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-18 |
| 分類號(hào) | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/44;C23C16/52;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 戴虹;黃志強(qiáng);王祥;彭海;湯亮才;胡海明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 黃海霞 |
| 地址 | 201620 上海市松江區(qū)思賢路3255號(hào)3號(hào)樓B棟四樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于管式鍍膜設(shè)備的處理方法，包括：通過(guò)沉積控制裝置對(duì)管式沉積腔體內(nèi)基板的一個(gè)待鍍表面進(jìn)行沉積處理以得到單面鍍膜基板，通過(guò)傳輸裝置將裝載有所述單面鍍膜基板的載具運(yùn)出所述管式沉積腔體后卸載所述單面鍍膜基板，從而得到待清洗載具，以及通過(guò)設(shè)置于管式清洗腔體的清洗控制裝置對(duì)進(jìn)入所述管式清洗腔體的載具進(jìn)行氣相清洗處理。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置于所述管式清洗腔體的清洗控制裝置對(duì)進(jìn)入所述管式清洗腔體的載具進(jìn)行所述氣相清洗處理，無(wú)需拆裝所述載具，從而進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率。 |
