一種芯片封裝的封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011617859.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112614787A 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號 CN112614787A 申請公布日 2021-04-06
分類號 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 譚小春 申請（專利權(quán)）人 合肥矽邁微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 230088安徽省合肥市高新區(qū)習(xí)友路3699號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的一種芯片封裝的封裝方法，在晶圓上對芯片上的寄生電容進(jìn)行一次Bump，形成第一金屬凸點(diǎn)，在第一金屬凸點(diǎn)的上進(jìn)行二次Bump，形成第二金屬凸點(diǎn)，第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)之間具有環(huán)形的凹陷，將帶有第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)的芯片進(jìn)行后續(xù)的常規(guī)芯片封裝操作流程。通過一次Bump與二次Bump形成第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)，第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)之間具有環(huán)形的凹陷，在塑封時能夠與塑封體很好的結(jié)合，環(huán)形的凹陷能夠卡扣住塑封體，且增大了與塑封體之間的接觸面積，增加了粘結(jié)度，在研磨工藝時，不易使第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)與塑封體之間脫離，也降低了第一金屬凸點(diǎn)與寄生電容之間脫離的概率，提高芯片的可靠性。??