一種PbI

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110896290.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113629198A 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN113629198A 申請公布日 2021-11-09
分類號 H01L51/48（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王志民;隋媛;仲崇霞;孫廣芝;戚菲 申請（專利權(quán)）人 北京佰耐特能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 泉州市創(chuàng)思遠(yuǎn)圖知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 徐銘煌
地址 100000北京市海淀區(qū)信息路甲28號C座（二層）02B室-383號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種PbI2多孔膜以及鈣鈦礦光伏薄膜的制備方法，所述PbI2多孔膜通過溶劑反萃取法制備，包括：將PbI2與溶劑混合，獲得PbI2溶液；將PCBM溶解在CB中，獲得PCBM溶液；將所述PbI2溶液旋轉(zhuǎn)涂覆在基材上，形成PbI2基層；將所述PCBM溶液滴加到所述PbI2基層上，萃取所述溶劑，得到PbI2多孔膜。在所述PbI2多孔膜上，通過旋轉(zhuǎn)涂覆甲胺鹵化物溶液，之后在惰性氣氛中在加熱處理，即得鈣鈦礦光伏薄膜。本發(fā)明制備多孔PbI2薄膜的方法，實(shí)現(xiàn)了常溫條件下制備薄膜，節(jié)約能源和成本；采用特殊溶劑萃取，可以在PbI2薄膜中形成穩(wěn)定的多孔結(jié)構(gòu)，從而使得Br摻入更加容易，同時(shí)保證材料較高的光電轉(zhuǎn)換效率。