溝槽柵的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111514005.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114220734A 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114220734A 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李昊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易區(qū)祖沖之路1399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽柵的制造方法，包括：步驟一、在半導(dǎo)體襯底表面形成溝槽。步驟二、形成第一氧化層，第一氧化層形成后需要使溝槽的頂部保持為開口狀態(tài)。步驟三、沉積第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層形成后需要使溝槽的頂部開口封閉并在溝槽內(nèi)部形成一個(gè)被第二介質(zhì)層所包圍的空腔。步驟四、對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行第一次回刻將空腔外暴露的第二介質(zhì)層去除且保證空腔頂部封口處的第二介質(zhì)層保留。步驟五、以空腔周側(cè)的第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)第一氧化層進(jìn)行從頂部到底部的第二次刻蝕以形成柵極底部氧化層。步驟六、去除第二介質(zhì)層。步驟七、進(jìn)行柵氧化層的生長(zhǎng)。本發(fā)明能簡(jiǎn)化BTO的形成工藝，從而能降低工藝成本。