一種HBT器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111318855.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114188405A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188405A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L29/10（2006.01）I;H01L29/737（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳曦;黃景豐;楊繼業(yè) 申請（專利權(quán)）人 上海華虹宏力半導體制造有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種HBT器件的制造方法，包括：提供一其上形成有重摻雜層和多個場氧化層的襯底；形成集電區(qū)；形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層中形成有第一開口；形成基區(qū)，并在所述基區(qū)生長過程中進行P型離子的在位摻雜；形成第二介質(zhì)層；刻蝕所述第二介質(zhì)層至所述基區(qū)表面以形成第二開口以及形成發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)具有N型摻雜；其中，在形成所述基區(qū)之后的任意一步驟之前，還可以包括：對所述基區(qū)執(zhí)行熱處理工藝。本發(fā)明還提供一種HBT器件。本申請通過在形成基區(qū)之后的任意一步驟之前，對基區(qū)執(zhí)行熱處理工藝，可以避免基區(qū)中的P型離子的擴散的情況，提高基區(qū)的摻雜濃度，降低基區(qū)電阻，提高特征頻率。