一種放電電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202111408096.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114189136A | 公開（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申請公布號 | CN114189136A | 申請公布日 | 2022-03-15 |
| 分類號 | H02M1/32（2007.01）I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 馬媛;邵博聞 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 戴廣志 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種放電電路，包括：放電單元、抗耦合單元和電源VDDI，所述放電單元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述抗耦合單元包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、電容器和電流源。本申請通過所述抗耦合單元，能夠在第二放電階段中將放電單元的放電回路中的地端的電位快速拉高，避免地端的電位與其他電路中的正高壓VPOS發(fā)生超BV的情況，消除電壓擊穿問題。 |
