一種多芯片半導體封裝及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110017729.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112802760B 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN112802760B 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫德瑞 申請（專利權）人 湖南中科存儲科技有限公司
代理機構 深圳泛航知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 鄧愛軍
地址 412007 湖南省株洲市天元區(qū)黃河北路272號幸福大廈1601（03）室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種多芯片半導體封裝及其形成方法，在對塑封樹脂層進行固化處理的過程中，通過分段固化處理，可以有效抑制硅基晶體管在固化過程中產生硅懸空鍵，通過先在氧氣氛圍中使得硅基晶體管充分產生硅懸空鍵，進而通過在氮氣的氛圍中熱處理過程以使得氧氣完全排出，進而在后續(xù)的固化過程中通過不同的氫氣氛圍進行充分的熱處理，進而使得硅基晶體管表面的硅懸空鍵充分的轉化為硅氫鍵，進而有效提高硅基晶體管的穩(wěn)定性。