鍵合氮化鋁陶瓷襯底異面電極VCSEL芯片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111210066.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114204402A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114204402A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01S5/02（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I;H01S5/30（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 詹健龍;徐春朝;姜昆;郭飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江焜騰紅外科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 程開(kāi)生
地址 314000浙江省嘉興市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)昌盛南路36號(hào)嘉興智慧產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新園10號(hào)樓104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了鍵合氮化鋁陶瓷襯底異面電極VCSEL芯片及其制作方法，VCSEL芯片包括有氮化鋁陶瓷層，氮化鋁陶瓷層的上下端面分別設(shè)有N電極，上端面的N電極上設(shè)有若干N?DBR，N?DBR分為上半部分和下半部分，所有N?DBR的下半部分相連，相鄰N?DBR的上半部分之間具有間隙，N?DBR的上半部分上端分別設(shè)有P?DBR，P?DBR與上半部分之間設(shè)有諧振腔層，P?DBR的上端設(shè)有隔離緩沖層，隔離緩沖層的上端設(shè)有P電極，氮化鋁陶瓷層上端面的N電極與下端面的N電極通過(guò)N電極導(dǎo)通柱連接。本發(fā)明的VCSEL芯片相比于傳統(tǒng)VCSEL芯片，去除了全部GaAs襯底，用氮化鋁陶瓷直接與外延層鍵合，提升了VCSEL芯片的散熱效果。避免了由芯片尺寸增加，襯底減薄導(dǎo)致的一系列問(wèn)題。