用于提高非制冷紅外焦平面陣列器件性能的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510090179.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1911781A 公開（公告）日 2007-02-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN1911781A 申請(qǐng)公布日 2007-02-14
分類號(hào) B81C1/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);G01K7/00(2006.01) 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 石莎莉;陳大鵬;李超波;焦斌斌;歐毅;葉甜春 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州紅芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 湯保平
地址 100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于提高非制冷紅外焦平面陣列器件性能的制作方法，步驟如下：在雙拋光<100>硅基片雙表面淀積上氮化硅薄膜和下氮化硅??；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蝕，形成背面陣列腐蝕窗口圖形；腐蝕減薄硅基片，形成倒梯形缺口；清洗處理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上淀積氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上光刻、刻蝕，形成背面單元腐蝕窗口圖形；在上氮化硅薄膜上光刻，刻蝕，形成非制冷紅焦平面陣列圖形；在非制冷紅焦平面陣列圖形上光刻，蒸金薄膜，剝離，形成間隔鍍金圖形；腐蝕硅基片，形成單元鏤空式非制冷紅外焦平面陣列器件。