一種光學(xué)路徑可控高導(dǎo)熱、低電阻的VCSEL制作方法及VCSEL

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111356425.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114204414A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114204414A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方照詒 申請（專利權(quán)）人 深圳市嘉敏利光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市道勤知酷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何兵
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)紅柳道2號順豐工業(yè)廠房1層B125
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種光學(xué)路徑可控高導(dǎo)熱、低電阻的VCSEL制作方法及VCSEL，其中該方法包括以下步驟：將MQW層上方的主要DBRAlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs（xi>y，0≤y≤1，且xi由上至下逐漸變大）中高Al％組分AlxiGa1?xiAs的部分進(jìn)行完全氧化，使其轉(zhuǎn)變成Al2O3，在所需的光學(xué)路徑上形成AlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs DBR堆疊結(jié)構(gòu)并使所述AlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs DBR堆疊結(jié)構(gòu)從上至下逐漸變窄，同時(shí)通過控制較臨近MQW的低Al％組分AlzGa1?zAs的氧化速率，繼而控制中心未被氧化的AlzGa1?zAs電流孔徑的大小，其中Al％組分滿足z>xi>y；將外圍部分完全氧化所形成的Al2O3以化學(xué)刻蝕方式去除，保留光學(xué)路徑的AlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs DBR堆疊結(jié)構(gòu)；去除外圍部分的Al2O3所形成的空間以原子層沉積、濺鍍、蒸鍍及電鍍中的一種或多種組合方式填充歐姆金屬，以形成低電阻的電學(xué)導(dǎo)通路徑。