一種VCSEL結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111357672.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114204415A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114204415A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方照詒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市嘉敏利光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市道勤知酷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何兵
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)紅柳道2號(hào)順豐工業(yè)廠房1層B125
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種VCSEL結(jié)構(gòu)，包括襯底、電極接觸層、下DBR、有源區(qū)、上DBR，其中，所述上DBR內(nèi)的光學(xué)路徑上的堆疊結(jié)構(gòu)由中Al含量的低折射率材質(zhì)Al2O3由AlxGa1?xAs經(jīng)氧化工藝形成Al2O3/AlyGa1?yAs組成，諧振腔光學(xué)路徑外側(cè)的導(dǎo)通路徑由歐姆金屬取代Al2O3形成低電阻路徑及光局限，所述堆疊結(jié)構(gòu)與所述歐姆金屬組成的組合層的上下兩側(cè)由AlxGa1?xAs組成并形成DBR結(jié)構(gòu)中高折射率的部分，所述有源區(qū)的上方設(shè)有電流孔徑，所述電流孔徑由AlzGa1?zAs組成并形成DBR結(jié)構(gòu)中高折射率的部分，其中，x＞z＞y。