頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù)確定方法和裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010873945.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111884589B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN111884589B 申請(qǐng)公布日 2021-11-05
分類(lèi)號(hào) H03B5/04（2006.01）I 分類(lèi) 基本電子電路;
發(fā)明人 賈涵陽(yáng);侯中原 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 硅谷數(shù)模（蘇州）半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 黃海英
地址 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)竹園路209號(hào)4號(hào)樓1801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù)確定方法和裝置。該方法包括：獲取預(yù)設(shè)數(shù)量的目標(biāo)型號(hào)芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補(bǔ)償斜率的均值，并將溫度補(bǔ)償斜率的均值確定為目標(biāo)型號(hào)芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補(bǔ)償斜率；獲取待測(cè)芯片的片內(nèi)頻率源在第一溫度下的工作頻率，其中，待測(cè)芯片為目標(biāo)型號(hào)的芯片；基于目標(biāo)型號(hào)芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補(bǔ)償斜率、第一溫度以及第一溫度下的工作頻率，確定待測(cè)芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補(bǔ)償偏置參數(shù)；將溫度補(bǔ)償斜率和溫度補(bǔ)償偏置參數(shù)確定為待測(cè)芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù)。通過(guò)本申請(qǐng)，解決了相關(guān)技術(shù)中采用機(jī)臺(tái)批量加熱芯片以校準(zhǔn)芯片的片上頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù)，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高的問(wèn)題。