一種超結(jié)IGBT器件結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201821740353.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN208819886U | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-05-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN208819886U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-05-03 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/739（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李菲; 李欣; 禹久贏; 任留濤; 劉鐵川 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)2號(hào)樓405室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種超結(jié)IGBT器件結(jié)構(gòu)，包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底；設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型襯底上的第二導(dǎo)電類(lèi)型外延層；設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類(lèi)型外延層內(nèi)的第一導(dǎo)電類(lèi)型柱形擴(kuò)散區(qū)；第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型柱形擴(kuò)散區(qū)通過(guò)一浮空區(qū)隔離；設(shè)置在所述第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s區(qū)；第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s區(qū)；以及柵極。 |
